氮化物半导体自旋扩散长度与自旋电子器件性能

本数据集面向氮化物半导体室温自旋输运与自旋电子器件研究，系统汇集了项目执行期内获得的室温自旋扩散长度、自旋注入效率和自旋场效应晶体管磁阻变化率等关于自旋电子器件性能的关键数据。数据采用时间分辨克尔光谱测量自旋弛豫时间，采用霍尔效应测试迁移率，并据此计算室温自旋扩散长度；采用磁输运实验测量室温自旋注入效率，并通过栅压调控下的磁输运响应提取自旋场效应晶体管磁阻变化率。数据采集与处理遵循专家论证测试大纲要求，对关键指标设置了明确评价标准。数据集同时汇集了支撑相关研究结论的论文与专利材料，可为数据溯源、实验复现、器件工艺理解与后续成果转化提供补充依据。结果表明，在GaN基材料中获得了室温自旋扩散长度 258.7 nm、室温自旋注入效率 21.6%、自旋场效应晶体管磁阻变化率 56.5% 。该数据集可为 GaN 基半导体中自旋弛豫、自旋扩散与电学注入机理研究提供基础数据支撑，并可用于室温自旋器件设计优化、性能对比评估及相关模型验证。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集聚焦氮化物半导体室温自旋输运与自旋电子器件研究，系统汇集了室温自旋扩散长度（258.7 nm）、自旋注入效率（21.6%）及自旋场效应晶体管磁阻变化率（56.5%）等关键性能数据。数据通过时间分辨克尔光谱、霍尔效应及磁输运实验获取，可为自旋弛豫机理研究、器件优化设计与模型验证提供基础支撑。