ОСОБЕННОСТИ МОРФОЛОГИИ ПОВЕРХНОСТИ И ДЕФЕКТЫ СТРУКТУРЫ ВНУТРЕННЕЙ ГРАНИЦЫ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК 3С-SIС, ВЫРАЩИВАЕМЫХ ИЗ УГЛЕВОДОРОДОВ НА ПОДЛОЖКАХ КРЕМНИЯ С УЧАСТИЕМ ГИДРИДОВ SI И GE

Слои кубической фазы карбида кремния, выращиваемые на подложках крем ния, в последние годы активно используются в микроэлектронике в качестве эффективного защитного и теплопроводящего покрытия. Последний фактор предполагает перспективность его использования в качестве эффективного элемента теплоотвода в микросхемах нового поколения с высокой плотностью упаковки активных элементов. Другим важным стимулом для внедрения углеродсодержащих слоев в устройства микроэлектроники является его использование в качестве эффективного сжимающего (а не растягивающего, как это имеет место в случае использования слоев SiGe) в плоскости стрессора кремниевого дырочного транспортного канала в полевых транзисторах на базе напряженных гетероструктур