铪基铁电薄膜 NAND 存储单元的工艺与表征数据集
收藏国家基础学科公共科学数据中心2025-12-27 收录
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https://nbsdc.cn/general/dataDetail?id=694c0e17195d261fbbe14dd6&type=1
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资源简介:
本数据集来源于国家重点研发计划项目“3DNAND闪存未来技术(2023YFB4402500)”。数据集主要聚焦于新型铪基铁电材料的电容制备、电学测试及物理机制分析,包含铁电薄膜的材料筛选、工艺制备、物性分析及可靠性等部分。实验数据涵盖新型铪基NAND存储单元的存储窗口、耐久性、数据保持等核心可靠性数据;利用仿真模拟方法结合实验测试,确定了铪基NAND主要的失效模式及其失效机理。该数据集可支撑新型铪基NAND存储器件退化模型的验证。
提供机构:
中国科学院微电子研究所



