铪基铁电薄膜 NAND 存储单元的工艺与表征数据集

本数据集来源于国家重点研发计划项目“3DNAND闪存未来技术（2023YFB4402500）”。数据集主要聚焦于新型铪基铁电材料的电容制备、电学测试及物理机制分析，包含铁电薄膜的材料筛选、工艺制备、物性分析及可靠性等部分。实验数据涵盖新型铪基NAND存储单元的存储窗口、耐久性、数据保持等核心可靠性数据；利用仿真模拟方法结合实验测试，确定了铪基NAND主要的失效模式及其失效机理。该数据集可支撑新型铪基NAND存储器件退化模型的验证。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集源自国家重点研发计划项目，围绕新型铪基铁电材料的电容制备、电学测试及物理机制展开，涵盖材料筛选、工艺制备、物性分析与可靠性测试。实验数据包括存储窗口、耐久性及数据保持等核心指标，并结合仿真模拟揭示了主要失效模式与机理，为铪基NAND存储器件退化模型验证提供了支撑。