新型低温MRAM器件结构
收藏国家基础学科公共科学数据中心2026-01-30 收录
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资源简介：
本数据集基于SOT以及STT隧道结制备工艺，通过特征尺寸测量用扫描电子显微镜的表征，研究分析SOT及STT隧道结制备结果。主要包括SOT隧道结Pitch数据、STT隧道结电子束光刻数据、STT隧道结刻蚀数据等。本数据集有助于深入分析MRAM器件制备工艺，也为本课题新型低温MRAM器件研究提供了研究基础，数据量27.9MB。
提供机构：
中国科学院微电子研究所
