新型低温MRAM器件结构

本数据集基于SOT以及STT隧道结制备工艺，通过特征尺寸测量用扫描电子显微镜的表征，研究分析SOT及STT隧道结制备结果。主要包括SOT隧道结Pitch数据、STT隧道结电子束光刻数据、STT隧道结刻蚀数据等。本数据集有助于深入分析MRAM器件制备工艺，也为本课题新型低温MRAM器件研究提供了研究基础，数据量27.9MB。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

本数据集围绕新型低温MRAM器件结构，基于SOT与STT隧道结制备工艺，通过扫描电子显微镜表征，收录了SOT隧道结间距数据、STT隧道结电子束光刻及刻蚀数据等内容。该数据集有助于深入分析MRAM器件的制备工艺，为低温MRAM器件研究提供基础数据支撑，数据总量为27.95MB。