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基于28nm STT-MRAM 1Mb存储模块设计数据

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国家基础学科公共科学数据中心2026-01-30 收录
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https://nbsdc.cn/general/dataDetail?id=67d50fac195d260905af9bc1&type=1
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资源简介:
该设计数据来源于中电海康集团有限公司,背景为参与大规模、高能效存算一体项目进行器件和芯片制备,为1Mb MRAM IP的存储模块设计数据,的lef文件,可用于IP集成时做LVS。 文件lib为mram IP的lib文件,在数字设计过程中用于进行DC综合。 文件nto_mram_1mb.v的仿真文件为mram IP的行为级仿真模型,在数字设计过程中用于verilog模型仿真与功能验证。
提供机构:
中电海康集团有限公司
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