МЕХАНИЗМЫ ФОРМИРОВАНИЯ ТЕМНОВОГО ТОКА В УНИПОЛЯРНЫХ БАРЬЕРНЫХ СТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ КРТ, ВЫРАШЕННОГО МЕТОДОМ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ ЭПТАКСИИ

В настоящее время полупроводниковый твердый раствор теллурида кадмия и ртути (Hg1xCdxTe, КРТ) широко применяется для создания высокочувствительных инфракрасных детекторов. Фундаментальные свойства КРТ позволяют создавать на основе этого материала детекторы для различных спектральных областей например, 3 5 (MWIR) и 8 12 (LWIR) мкм 1. Актуальные задачи повышения рабочей температуры и повышения выхода годных детекторов могут быть решены при использовании новых униполярных архитектур. Использование инфракрасных детекторов с nBnконфигурацией 2 позволяет эффективно подавить темновые токи основных носителей заряда, а также исключить из технологического цикла процедуру ионной имплантации. Анализу возможностей использования nBnструктур посвящено много работ, но успехи в практической реализации таких структур на основе МЛЭ КРТ пока ограниченны 3 5. В докладе представлены результаты исследований механизмов формирования темнового тока в MWIR nBnструктурах на основе МЛЭ HgCdTe с различными параметрами барьерных слоев.