1S1R以及交叉型三维存储阵列的性能研究
收藏国家基础学科公共科学数据中心2026-01-30 收录
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资源简介：
本实验中所有电学表征器件,均以时代芯存 (Advanced Memory Semiconductor Ltd. AMS) 45 nm CMOS 工艺 TiN 底电极型阵列为基础,在其上沉积材料层与上电极并完成图形化后最终制成。该阵列具有 2 列独立横向子阵列和 12 列共 4 组电极尺寸的 T 型器件子阵列组成;如图1所示,从左至右以 3 列为一组,依次是底电极直径为 60 nm, 120 nm, 150 nm, 200 nm 的子阵列,每个独立子阵列包含 2 个较大的公共电极与 40 个小电极。横向电极有利于键合,适用于高速皮秒级测试与器件电阻-温度测试,12 列独立子阵列适用于常规器件性能测试。
提供机构：
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
