spin coating法制备高迁移率二维电子气数据集

高迁移率自旋极化二维电子气体（2DEG）对于自旋电子学应用至关重要。在这里，我们报告了我们对通过在具有La2 / 3Sr1 / 3MnO3缓冲层的（001）SrTiO3基板上旋涂LaAlO3层而制造的2DEG的研究。当缓冲层低于3 uc时，2DGE具有高度的移动性。对应于 0、1 和 2 uc 的层厚度，霍尔迁移率与 24 000 cm（2）/V s 相似，与 28 000 cm（2）/V s 相似，在 2K 时与 59 600 cm（2）/V s 相似。相比之下，缓冲层为3 uc的2DEG显示出相对较低的移动性（类似于3000 cm（2）/ V s）。然而，在低于20 K的2DEG中观察到异常霍尔效应，表明存在长程铁磁阶。这项工作证明了化学方法在LaAlO3 / SrTiO3界面处获得高质量自旋极化2DEG的巨大潜力。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集聚焦于使用旋涂法在SrTiO3基板上制备高迁移率自旋极化二维电子气（2DEG），重点研究LaAlO3层与缓冲层厚度对电子迁移率的影响。实验发现，当缓冲层低于3 uc时，2DEG展现出高达59,600 cm²/V s的迁移率，而3 uc缓冲层则导致迁移率显著降低，并在低温下观察到异常霍尔效应，表明存在铁磁序。这证明了化学方法在界面处获得高质量自旋极化2DEG的潜力。