SOT-MRAM器件高温数据保持时间测量数据集

该数据集在85℃下保存信息不低于10年。固定温度下，进行电学加速测试，并结合公式拟合与外推。具体来说，通过施加不同脉宽、不同电压的写入脉冲，利用器件参数保存时间与写入概率与写入脉宽、写入电压的关系，拟合得到器件的参数保存时间。重复一定数目的器件，结合器件保存时间的分布，外推得到实际规模的阵列的保存时间。