硅片上大面积生长石墨烯的超快法制备及表征数据集

利用脉冲电流超快淬火法在硅片上生长大面积石墨烯，所选的硅片尺寸为10×10mm，表面覆盖有连续石墨烯层，可实现硅片上石墨烯的全覆盖，且导电性良好，面电阻约为50Ω·sq-1。超快淬火法所用脉冲电流约10A，脉宽约2s。这种方法不受真空管式炉的尺寸限制，解决了激光直写法超快制备石墨烯能耗高的问题，可实现平面基底上石墨烯的大面积连续生长。