高压碳化硅器件及模块测试检验技术数据集

2016YFB0400504-10kV150A 芯片在片测试平台测试数据：数据文件中可以查询3300V/50A SiC SBD和3300V/25A SiC MOSFET晶圆级芯片在片测试结果。
2016YFB0400504-高压SiC芯片栅氧可靠性测试数据可以查询使用二次退火测试数据和栅氧可靠性筛选数据。
2016YFB0400504-6.5kV 400A SiC MOSFET动态测试平台测试数据：数据文件中可以查询6.5kV 400A动态参数测试平台第三方认证测试。
2016YFB0400504-6.5kV 400A 雪崩耐量及短路特性测试数据：数据文件中自主设计的SiC MOSFET雪崩能量测试平台下SiC MOSFET C2M0280120D和SiC MOSFET C3M0280120D的雪崩能量测试结果和SiC MOSFET短路承受时间和临界短路能量测试数据。
2016YFB0400504-6.5kV SiC MOSFET模块可靠性测试数据：数据文件中可以查询6.5kV 50A、100A模块高温栅偏、高温反偏等可靠性测试检测数据。
2016YFB0400504-高压SiC IGBT芯片静态测试数据：数据文件中可以查询15kV SiC IGBT测试数据。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集聚焦于高压碳化硅器件及模块的测试检验技术，涵盖了从芯片级到模块级的多种测试数据，包括静态测试、动态测试、栅氧可靠性、雪崩耐量及短路特性等关键性能指标。数据源自国家重点研发计划项目，为高压大功率SiC材料与器件的应用提供检验支持。