高通量计算二维室温铁磁半导体

本数据集主要面向二维室温铁磁半导体的研究，基于第一性原理计算，旨在为探索二维铁磁半导体材料的磁性、电子结构及其应用提供理论支持和数据参考。数据集包含高通量计算 XGeT3 系列磁性半导体的性质相关信息，包括磁性、能带结构、态密度、磁各向异性能及光学、电学特性等计算结果。本数据集通过 VASP 计算得出原始数据，并结合 Origin 软件对计算结果进行处理与可视化，提供多种性质的详细分析。本数据集完全开放共享，可为二维铁磁材料设计和自旋电子学应用的研究提供重要支持，适用于磁性半导体、光电材料及器件工程领域的科研工作者使用。数据存储为易于处理的文件格式，可直接使用或用于二次分析。数据总量为53.7MB。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集基于第一性原理计算，专注于二维室温铁磁半导体的高通量研究，包含XGeT3系列材料的磁性、能带结构、态密度等多性质计算结果。它为二维铁磁材料设计和自旋电子学应用提供了理论依据和数据支撑，适用于磁性半导体、光电材料及器件工程领域的科研工作。