外延铪基铁电薄膜及类脑器件研究数据集

作为一种新型半导体存储器，忆阻器因其能够实现多级存储和类似突触的学习能力而受到广泛关注。然而，由传统制成的忆阻器通常表现出分散和不稳定的开关特性。铁电忆阻器可以解决这个问题，并实现突触可塑性的调节。在这里，基于Hf05Zr0.5O2的忆阻器在Si衬底上制造。I-V曲线显示，与其他HfxZr1-xOy薄膜，Hf0.5Zr0.5O2薄膜的设备开启电压较低，且ROFF/RON的比值可以达到104，这意味着优异设备性能。此外，不同参数的脉冲序列可以影响设备导电性的调节。还研究了设备的突触可塑性行为。这些结果为开发具有类似神经元突触的铁电薄膜奠定了基础。