抗辐射SiC MOSFET辐射失效机理研究数据

本数据集汇集了2023年至2025年间针对抗辐射SiC MOSFET器件开展的高温特性、总剂量辐照及单粒子辐照实验的测试与仿真数据。高温测试采用TA-5000A-1-1热流系统将器件升温至200℃，搭配LX3193半导体测试台完成电学参数采集；总剂量辐照在北京师范大学、北京大学及新疆理化所装置上进行，剂量率50 rad(Si)/s，总剂量100 krad(Si)并附加50 krad过辐照，辐照前后采用B1505A参数测试仪测量电学特性；单粒子辐照在哈尔滨工业大学空间环境地面模拟装置进行，采用Ta离子（LET≥75 MeV·cm2/mg），注量率≥2.5×103 ions/(cm2·s)，总注量≥1×105 ions/cm2，漏源偏压逐步增加至200 V或400 V。数据时间精度为毫秒至小时级，空间范围涵盖器件芯片及外延材料微观区域（TEM分辨至亚埃级）。数据质量通过仪器定期校准（源表每12个月、电镜每3个月）、标准样品验证、四步分析法及GUM不确定度评估严格控制，确保真实、准确、可追溯。本数据集可用于SiC功率器件抗辐射能力评估、辐照损伤机理研究及航天电源可靠性设计，具有重要的科学价值与工程应用前景。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

本数据集涵盖2023至2025年间对抗辐射SiC MOSFET器件进行的高温特性、总剂量辐照及单粒子辐照实验的测试与仿真数据，包括电学参数、微观结构等，时间精度从毫秒到小时级。数据通过仪器校准、标准样品验证和不确定度评估严格控制质量，可用于SiC功率器件抗辐射能力评估及航天电源可靠性设计。