Определение компонент тензора при измерении остаточных напряжений методом фотоупругости в монокристаллах сапфира в форме пластин.

Одним из основных типов дефектной структуры в кристаллах, выращиваемых из расплава, являются остаточные напряжения. Они возникают изза несовместных деформаций под действием термических напряжений в нелинейном температурном поле при выращивании кристаллов. Целенаправленно изменяя конфигурацию тепловых экранов в ростовой зоне можно понижать уровень термопластических напряжений в кристаллах. Особенно актуальна проблема измерения и снижения уровня остаточных напряжений при выращивании тонкостенных изделий, выращиваемых из расплава способом Степанова.