氧化钒电致相变研究

这项工作展示了一种基于 VO2 薄膜的新型突触晶体管，该晶体管在室温下使用电解质门控。通过门控诱导的质子化和去质子化，实现了各种 H 掺杂相之间的可逆相变，这已通过许多表征测量得到证实。 VO2 突触晶体管基于利用具有各种氢掺杂浓度的非易失性多能级电导状态，可以成功地模拟突触可塑性和尖峰时间依赖性可塑性等基本突触功能。包含通过监督学习模拟的 VO2 突触晶体管的人工神经网络显示了 MNIST 手写识别数据集的高识别精度。