中科院半导体所高矫顽场低介电常数HZO铁电材料数据

高矫顽场低介电常数HZO铁电材料数据集基于科技部重点研发计划项目“新型高密度存储材料与器件”研究结果而建立，包扩ZnO基HZO外延材料的结构数据（x射线衍射、透射电镜表征结果）及电学数据（电容-电压曲线结果）、Si基HZO结构数据（x射线衍射表征结果）及电学数据（电容-电压曲线结果）。该数据集反映了HZO与半导体集成及其器件应用相关内容，供半导体材料及器件领域的研究人员参考。