Experimental data on single-event upsets in heavy-ion irradiated 28 nm SRAMs
收藏科学数据银行2024-03-04 更新2026-04-23 收录
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资源简介：
Single-event upsets data from commercial 28 nm SRAM memories irradiated with heavy ions at different energies
提供机构：
中国科学院近代物理研究所; Liu杰
创建时间：
2024-02-28
