多离子相干存储时间

多离子相干存储时间数据集，主要面向长时多离子量子存储性能测试与离子相干寿命评估等研究需求建设，基于清华大学蒙民伟科技大楼南楼S302实验室的液氮温度低温离子阱系统实验平台，使用370 nm半导体激光器、EMCCD成像相机、微波喇叭、微波信号源及工控采集PC机等设备产生。该数据集来源于课题二“低温离子阱中多离子相干存储”开展长时多离子量子存储性能测试研究中获得的时序采集、参数校验、统计拟合数据，其中长时存储全过程参数监测数据依托离子阱工况闭环校验实验获得，不同时序离子相干衰减数据依托多时序对照存储实验获得，离子相干寿命统计分析数据依托最大似然估计、重采样数理分析实验获得。实验利用全局微波将所有离子的量子状态从初始态 ∣0⟩∣0⟩ 转变到叠加态，随着时间推移，量子状态受到环境噪声影响从而相干性逐渐降低，再通过全局微波将量子态转换到测量基，测量末态的相干性，使用EMCCD收集离子的荧光信号，记录荧光信号随探测时间间隔增加而逐渐衰减的数据。数据集主要记录了不同探测时间间隔下离子荧光信号强度、单个离子相干性随时间衰减特性、离子相干寿命统计分析结果等观测值，展示了在大规模离子晶体中单个离子的相干时间达到百毫秒量级，超过单比特操作时间百万倍。数据量约1 GB，共11个文件。