激发态载流子计算数据集

该数据集包含710个文件，总未压缩数据大小约为5.11 GB。其核心是构建一个面向半导体材料激发态载流子动力学模拟的综合性数据库，旨在为研究光激发下电子、空穴等载流子的超快演化过程提供标准化的计算数据。在构建过程中，基于第一性原理非绝热分子动力学（NAMD）理论框架，并集成了光-物相互作用，对包括二维过渡金属硫化物、钙钛矿、氧化物在内的多种半导体材料体系进行了大规模模拟。为了满足不同物理条件和模拟方法的需求，数据涵盖了从零温到室温（0K, 100K, 300K）的温度范围，并包含了基于不同分子动力学方法（如AIMD, PIMD）和不同表面跳跃算法（如FSSH, DISH）生成的轨迹与动力学结果。此外，还进行了系统的数据验证，通过对比模拟得到的载流子谷极化率演化、能量弛豫时间、电子-空穴复合寿命等关键物理量，确保了数据与已有实验及理论报道的一致性。该数据集已通过“半导体激发态数据库可视化与管理云平台”实现高效管理与共享，在光电子学、自旋-能谷电子学及新型光催化材料设计等领域具有重要的应用价值，为加速材料筛选和微观机制研究提供了关键的数据支撑。