Supplement Number 1
收藏aip.figshare.com2024-11-08 更新2025-01-16 收录
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资源简介：
Supplemental Information for Epitaxial SiGeSn Grown on Si by Ion Implantation Manuscript - Contains additional data (including tables and figures) for our XPS, RBS, TEM/EDS, SE results.
关于外延生长于硅基上的SiGeSn的补充信息——包含X射线光电子能谱（XPS）、核反应分析（RBS）、透射电子显微镜/能量色散X射线光谱（TEM/EDS）、二次电子能谱（SE）等结果的相关附加数据（包括表格和图形）。
提供机构：
AIP Publishing
