SiC超级结器件的电荷平衡规律仿真及测试数据

本数据集来源于国家重点研发计划“新型显示与战略性电子材料”重点专项课题，由西安电子科技大学集成电路学部在项目执行期间系统产生。随着新能源、轨道交通等高压领域对高效率、高功率密度电力电子系统的迫切需求，以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体功率器件成为研究核心。其中，超级结结构是突破传统硅基功率器件理论极限的关键技术，其性能高度依赖于N型和P型电荷柱之间的精确电荷平衡。本数据集正是围绕这一核心物理规律，通过系统的仿真设计与实验验证建立而成。数据集主要面向半导体器件物理研究、新型功率器件设计与优化，以及功率集成电路的工程应用需求。其数据基于课题组自主构建的半导体工艺与器件仿真平台，以及Keysight B1505A功率器件分析仪等测试系统产生。数据内容主要记录了不同结构参数（如N/P柱宽度、掺杂浓度）下的SiC超级结器件的关键特性，包括阻断电压、击穿特性、正向导通电流、纵向电场分布以及电荷失配影响。数据集总容量约为20MB，以结构化数据、图像及文档的形式，完整呈现了从理论仿真到流片测试的研究闭环，为相关领域的科研人员提供了翔实、可靠的基础数据支撑。