无注入蓝与绿光GaN纳米材料的材料表征数据

本数据集面向无电学接触、无载流子注入模式的蓝、绿光氮化物纳米发光材料，主要研究高性能氮化物纳米材料制备。基于掩模实现的选择性区域外延方法，采用SiNx作为掩模，基于电子束曝光、反应离子束刻蚀工艺，通过优化曝光剂量以及刻蚀条件，在高质量的氮化镓模板上制备了纳米图形阵列结构。根据氮化物生长动力学，研究氮化物生长界面控制技术，制备GaN纳米发光材料。同时，基于紫外纳米压印技术，采用金属有机气相外延（MOCVD）生长的InGaN/GaN多量子阱（MQW）LED晶片，用SiNx作为掩模，基于紫外曝光和反应离子束刻蚀工艺，通过优化曝光剂量以及刻蚀条件，在高质量的氮化镓模板上制备了纳米图形阵列结构。在无注入蓝、绿光GaN纳米发光材料制备过程中，详细记录了工艺优化条件和氮化物纳米发光材料的性能测试表征数据。