铟锡斜入射二次谐波表征数据集

硒化铟（InSe）是一种具有直接带隙和高载流子迁移率的层状半导体，在柔性电子器件和超快光电领域有广泛应用前景。然而，由于层间范德华力较弱，其晶体结构存在多型现象，形成四种不同的堆叠顺序（γ、ε、β和δ相）。这些相的能量几乎简并，但它们的电子结构各异，可应用于多种技术领域。由于缺乏对层间结构变化足够敏感的非侵入性工具，区分这些多型结构仍极具挑战性。本研究展示了利用对称性敏感的倾斜入射光学二次谐波生成（SHG）技术对不同InSe多型结构的明确区分。令人惊讶的是，尽管两家主要商业供应商（2D Semiconductors和Six Carbon Technology）提供的样品宣称为γ相，但结果表明ε相为主要结构。这些发现有助于推动InSe晶体在压电传感器和应变传感等精确应用，并表明倾斜入射SHG是一种强大的范德华层状材料结构分析工具，为未来的材料开发提供了重要的参考。