双层半导体转角体系中的各向异性能带平整化数据集

我们提出了一种关于莫尔系统中Γ谷各向异性能带展平的通用理论。对于具有𝐶2𝑧或镜面对称性的矩形单元格二维半导体，我们发现，单层材料中价带或导带的较大有效质量各向异性系数𝜂=𝑚𝑦/𝑚𝑥在其扭曲双层结构中更有可能进一步增强。这导致了强烈的各向异性能带展平，使其在一维（1D）方向上表现出相关的物理特性。基于从头计算和连续模型，我们预测扭曲双层黑磷（tBBP）具有巨大的各向异性展平莫尔能带（𝜂∼10⁴），其中低能物理可通过弱耦合的1D线性阵列描述。我们进一步基于滑动Luttinger液体模型并结合tBBP中的屏蔽库仑相互作用，计算了其相图，发现一个较大的参数空间可能存在非费米液体相。由此，我们确立了tBBP作为探索低维相关物理的一个有前景且实验上可实现的平台。