单晶内部质量原始记录

大尺寸高品质铌酸锂晶圆内部质量主要避免的缺陷是：光散射、脉理条纹、云层、包括体、畴界、晶界。这些缺陷的出现与原料纯度、多晶制备、瞬时生长速度、温场、退火、单畴化等工艺环节有关。本数据集包含了铌酸锂单晶内部质量原始数据，阐述了控制上述缺陷控制所采用工艺手段。低缺陷密度的大尺寸高品质铌酸锂单晶的制备是优质薄膜铌酸锂产业化必备条件。