МИКРОМЕХАНИКА ДИСЛОКАЦИЙ В ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ МАТЕРИАЛАХ ЭЛЕКТРОНИКИ И ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ

Релаксация механических напряжений в тонкопленочных гетероструктурных материалах электроники и оптоэлектроники, для которых типично наличие решёточного несоответствия между слоями, обычно происходит путем образования дислокаций несоответствия (ДН) на границах слоев и сопровождается генерацией высокой плотности пронизывающих (проникающих) дислокаций (ПД) в объеме материала. Наличие последних негативно влияет на работу различных устройств электроники и оптоэлектроники, включая светодиоды (СИД) и лазерные диоды (ЛД), поскольку ПД оказываются в активной области таких устройств. Релаксация в напряженных гетерослоях также приводит к их растрескиванию, изменению морфологии поверхности и изгибу во время роста и/или при процессировании.