GAA刻蚀沉积工艺物理模型仿真数据及分析数据

随着集成电路制造进入3纳米技术节点，环栅晶体管架构已成为延续摩尔定律的核心路径。其制造过程极度依赖于一系列复杂的三维纳米级刻蚀与沉积工艺，这些工艺的形貌控制直接决定了器件的最终性能。为应对高保真工艺仿真的迫切需求，本研究开发了基于物理的蒙特卡洛刻蚀模型与水平集沉积模型，并生成了一套涵盖多工艺窗口的GAA器件工艺仿真数据集。本数据集包括GAA器件沉积工艺仿真模型说明、GAA器件刻蚀工艺仿真模型说明、强相关的4篇科技论文、以及22张关键原始数据图片。其中，科技论文详细阐释了物理模型内核及关键原始数据。本数据集不仅提供了不同工艺条件（如气压、功率、温度）下的关键形貌演化结果（如横向刻蚀轮廓、薄膜沉积厚度分布），还包含了从仿真结果中提取的定量分析数据（如刻蚀速率、选择比、台阶覆盖率）。这套经过实验校准的基准数据集，旨在为GAA器件的工艺开发、模型校准与理论研究提供坚实的数据支撑，对推动先进制程的研发具有显著价值。