自旋存储单元室温磁电阻数据集

本数据集展示了以下工作的原始数据：利用传统铁磁CoFeB制成的磁性隧道结器件，并获得了该器件室温下108.3%的隧穿磁电阻值。
主要数据项包括室温下隧穿磁电阻曲线。利用磁控溅射方法制备具有钉扎层、隧穿层、自由层的磁隧道结薄膜样品，并通过多步光刻与离子束刻蚀等方法制备磁隧道结器件，随后将样品置于样品托上连接电极与焊盘，将样品放入综合物性测量系统腔内，待温度与磁场条件稳定后，来回扫描腔内施加的磁场，并同时使用系统内置的电流源与电压表测量器件电阻，结果表明该期间具有显著的隧穿磁电阻效应，记录其最大电阻与最小电阻，磁电阻比率为（最大电阻减去最小电阻）除以最小电阻，比率达到108.3%，满足项目指标要求。