基于 6 英寸碳化硅衬底的厚膜外延技术研究数据集

2016YFB0400501-6英寸SiC单晶抛光片测试数据，数据文件中可以查询衬底微管密度、表面粗糙度、高分辨X射线摇摆曲线半峰宽、螺位错密度等衬底信息。
2016YFB0400501-SiC 外延材料测试数据，数据文件中可以查询SiC 外延材料厚度、表面综合缺陷密度、微管密度、外延材料载流子浓度等外延材料信息。
2016YFB0400501-SiC MOSFET用外延片测试数据，数据文件中可以查询SiC MOSFET用外延片厚度及厚度均匀性，n型载流子浓度及掺杂均匀性等外延材料信息。
2016YFB0400501-SiC IGBT用外延片测试数据，数据文件中可以查询SiC IGBT用外延片厚度及厚度均匀性、n型载流子浓度及掺杂均匀性、p型载流子浓度及掺杂均匀性等外延材料信息。
2016YFB0400501-碳化硅单晶衬底和外延材料测试分析数据，数据文件中可以查询研发过程中第一批~第四批碳化硅单晶衬底和外延材料表面缺陷、载流子浓度、外延厚度、微管密度等测试分析数据。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集聚焦于6英寸碳化硅衬底的厚膜外延技术研究，提供了衬底和外延材料的多种测试数据，包括微管密度、表面粗糙度、载流子浓度及厚度均匀性等关键参数。这些数据来源于国家重点研发计划项目'高压大功率 SiC 材料、器件及其在电力电子变压器中的应用示范'，由中国科学院半导体研究所创建，旨在支持碳化硅半导体材料与器件的研发。