填充型方钴矿结构材料CeOs4Sb12和PrOs4Sb12中的不同重费米子行为研究数据集

该数据集是对CeOs4Sb12、PrOs4Sb12的电子结构和f电子特征进行了详细、系统的研究，直接观测到了CeOs4Sb12中f电子随温度发生的局域-巡游转变，并观测到PrOs4Sb12中的有限的c-f杂化行为，揭示了4f2和4f1体系中完全不同的近藤屏蔽行为，并对填充方钴矿材料的多个未解问题从电子结构的角度给出了直接的解答。数据包括软X光ARPES数据、真空深紫外ARPES数据、变温数据、共振ARPES数据，数据量3.6GB。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集系统研究了填充型方钴矿材料CeOs4Sb12和PrOs4Sb12的电子结构与f电子特征，直接观测到CeOs4Sb12中f电子的局域-巡游转变以及PrOs4Sb12中有限的c-f杂化，揭示了4f1与4f2体系不同的近藤屏蔽行为。数据包含软X光、真空深紫外、变温及共振ARPES数据，总量为3.6GB，为理解该类材料的重费米子行为提供了电子结构层面的直接证据。