氮化物半导体量子级联结构周期数及厚度

利用氮化物半导体生长界面双层及单层金属原子自限制效应进行原子级尺度外延生长的精准调控。采用分子束外延技术在GaN-蓝宝石模板、Si基AlGaN/GaN模板和Si掺杂导电、C掺杂半绝缘GaN单晶衬底上外延生长了不同周期数的GaN量子级联结构。本数据集记录了外延GaN/AlGaN量子级联结构的生长条件和生长参数，记录了GaN量子级联结构晶体质量的表征方法及数据，记录了透射电子显微镜对GaN量子级联结构进行横截面测试的数据结果。结果表明，样品总厚度为3.938 μm，每个周期的厚度为20 nm左右，约合200周期，且每一层的厚度均与设计值偏差较小，实现了对超晶格厚度的精准控制。