hBN_量子存储器_缺陷电子跃迁数据
收藏海数据2026-03-14 收录
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https://haidatas.com/dataset/hbn_liangzicunchuqi_quexiandianziyueqiansh_63dad45a
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资源简介：
本数据集包含六方氮化硼（hBN）中缺陷的电子跃迁特性数据，涵盖三重态和单重态自旋构型的电子跃迁信息，记录了跃迁偶极矩、零声子线、寿命等关键参数，用于支持量子存储器相关研究。 Cholsuk et al., Identifying electronic transitions of defects in hexagonal boron nitride for quantum memories
提供机构：
公开数据
创建时间：
2026-02-15
