两量子比特耦合强度
收藏国家基础学科公共科学数据中心2024-03-05 收录
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资源简介：
在Si/SiGe异质结上制备overlapping结构的四量子点两比特样品，每个量子点均可以排空到少电子区，扫描左右双电子点的失谐量可以得到失谐的偏移量，从而提取两比特间的耦合强度。通过调节左（右）双量子点内以及左、右双电子点间的隧穿耦合强度，两比特间的耦合强度可达到~15GHz。
提供机构：
中国科学技术大学
搜集汇总
数据集介绍
背景与挑战
背景概述
该数据集聚焦于两量子比特耦合强度，基于Si/SiGe异质结上的四量子点两比特样品实验，通过扫描失谐量提取耦合参数。调节隧穿耦合强度后，两比特间耦合强度可达到约15GHz，属于凝聚态物理学领域。
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