基于Fe3GeTe2范德华尔斯同质结的多态垂直自旋阀

本数据集基于Fe3GeTe2范德华同质结构，形成具有两态和多态的自旋阀结构，研究分析了二维自旋阀中磁输运性质及其相关理论解释。主要包括纯Fe3GeTe2及其同质结中在不同温度下的测试数据及理论机制。关联发表文章From two- to multi-state vertical spin valves without spacer layer based on Fe3GeTe2 van der Waals homo-junctions [Science Bulletin 65, 1072-1077 (2020)]。本数据集中相关成果完成于2020年，相关磁、电输运测量和理论计算在中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室完成。数据采集过程中使用了低温探针台，2602B电流源表，2182A纳伏表等设备。测试温度为10K到300K，测量电流从5nA到30uA。实验数据采集严格遵循实验规范，以确保数据的高精度和可靠性。使用密度泛函理论（DFT）计算来解释相应的实验结果。