无制冷高速直调量子点激光器的器件设计、制备与表征数据

1.3μm波段半导体激光器作为光通信系统的核心光源器件，其性能对于整个系统的性能提升至关重要。发展低成本、小型、低功耗、高温无制冷、高调制速率的激光光源，将极大地提升光通信系统的传输能力，同时大幅降低系统的能源消耗，是光通信技术未来发展的方向。目前，1.3μm波段InP基量子阱激光器是国内外商用中短距离光通信系统中光源器件的主要选择，但是由于该材料体系本身特性的限制，这一类型激光器温度稳定性较差，其输出特性会随温度改变发生明显变化，必须单独为激光器提供制冷装置，这导致量子阱激光器光源器件的成本、功耗以及体积大大增加。同时，InP基量子阱激光器对于来自外部的光反射非常敏感，因此在光源器件封装时需要加入对应的光学隔离器以保证外部反射光无法返回激光器器件，而光学隔离器成本较高，这也使得对应的光模块成本无法进一步降低，限制了其应用。为了解决InP基量子阱激光器在实际应用中存在的问题，科研人员开始将目光转向发光波长同样位于1.3μm波段的InAs/GaAs量子点激光器。量子点材料是一种在三个维度方向上的尺寸都接近材料电子德布罗意波长的三维“小岛”状半导体材料，对内部的载流子存在强烈的三维量子限制效应。量子点激光器预计比量子阱激光器具有众多优势，包括更低的阈值电流密度、更高的温度稳定性、更高的调制速率以及更强的抗光反射特性等。本数据集主要面向“无制冷高速直调1.3微米量子点材料与激光器”课题的数据记录和分析处理过程，数据量为11.2Mb/14个文件。