硅材料加工制备过程中缺陷的产生和演化规律
收藏国家基础学科公共科学数据中心2026-01-30 收录
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资源简介：
数据集包含浅沟槽隔离刻蚀工艺中的pn结器件和硅光电倍增管微区成像研究数据；论文（氧流量对双离子束溅射沉积氧化铪薄膜光学性能的影响）数据；论文（通过优化涂层和退火参数来降低双离子束溅射HfO2膜的光学损耗）数据；专利（一种基于隧穿势垒控制的紫外光电探测器及制备方法）数据。制备工艺中的缺陷研究数据采集于2022年至2024年。大小约273 MB。
提供机构：
北京邮电大学
