6英寸高纯半绝缘碳化硅单晶生长数据集

本文构建并公开6英寸高纯半绝缘碳化硅（SiC）单晶衬底检测数据集，基于物理气相传输（PVT）法生长，经机械研磨、化学机械抛光（CMP）制备完成，数据采集时间为2021—2025年。数据集涵盖几何参数、结晶质量、电学性能及表面性能四大类指标，包含TTV、LTV、翘曲度、弯曲度、微管密度、XRD摇摆曲线半高宽、电阻率、表面颗粒数、表面粗糙度等核心检测参数，共计160组有效记录，数据量约444MB，存储格式为xlsx、csv、png。数据采集严格遵循国家标准、半导体衬底检测规范，设备定期校准，参数完整可追溯、实验结果可复现。本数据集面向第三代半导体材料表征、衬底工艺优化、生产良率提升与器件适配研究，可为6英寸高纯半绝缘SiC衬底产业化生产、检测设备研发及行业标准制定提供实测数据支撑，具有较高的科研与工程复用价值。