光致单轴应变驱动的多级斯格明子相变数据集

斯格明子承载多层膜中的应变工程在自旋电子器件中具有广阔前景。然而，传统应变通常低于0.5%，限制了对大幅应变下独特性质的探索。此外，单轴应变会各向异性地改变磁相互作用，但其对斯格明子的影响尚未被充分研究。在此，我们将承载斯格明子的多层膜与柔性液晶薄膜相结合，通过高达1%的光致单轴应变，实现了多步骤的斯格明子相变。我们的结果表明，斯格明子转变对应变大小和方向敏感。低于0.6%、平行于条状磁畴的应变会将其转变为斯格明子。应变超过0.6%时，斯格明子会沿垂直于应变方向伸长，表现出负泊松效应，在0.8%的应变下变形可达40%。进一步施加应变会使斯格明子重新转变成条状畴。微磁模拟揭示，这些现象源于应变引起的Dzyaloshinskii-Moriya相互作用的各向异性调制。这种结合了柔性、光激活与大幅单轴应变的方法，为低功耗、多态自旋电子器件提供了一种前景广阔的调控策略。