新型低温MRAM磁性薄膜测试
收藏国家基础学科公共科学数据中心2026-01-30 收录
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资源简介：
本数据是利用8英寸磁控溅射系统沉积的STT隧道结薄膜，利用CIPT测试系统薄膜隧穿磁电阻比（TMR）进行量测，薄膜沉积是研制MRAM器件集成的第一步，本数据是证明薄膜能够加工出具有TMR效应的隧道结器件的重要判据，数据量175MB。
提供机构：
中国科学院微电子研究所
