其它二维薄膜生长

除了上述二维薄膜外，还有WS2、NbS2、PdSe、VS2、NiTe2等多种二维薄膜，对生长获得的各种二维薄膜的形貌、结构、组分、物性和器件的表征。生长、物性和应用数据。数据类型为文件，数据量2.96G。数据内容主要包括产出论文和图片及原始数据。数据处理软件Origin加工，处理方式为去除奇异点，去除背底、平滑化等。来源于对生长获得的各种二维半导体薄膜的形貌、结构、组分、物性和器件的表征。形貌通过SEM、AFM、STM等设备采集；结构通过TEM高分辨相、X射线衍射收集；物性主要包括光学性质和电学性质，通过发光光谱、拉曼光谱等采集。电学性质通过电子束曝光制备电极图案、反应离子刻蚀处理MoS2获得清洁表面和规则形状、原子层沉积介电层、热蒸发镀膜制备电极，最终获得晶体管器件。电学测试主要通过Keysight1500A、Keithley4200等源表配合低温真空探针台测试所得。催化性能主要通过电化学工作站获取。数据采集时间地点：国家纳米科学中心、北京大学；数据采集时间：2019.9.1-2024.8.31。