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基于国产设备的工艺导入方案研究数据

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国家基础学科公共科学数据中心2026-01-30 收录
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https://nbsdc.cn/general/dataDetail?id=67d50eaf195d260905af9960&type=1
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资源简介:
本数据集源自基于国产碳化硅长晶设备的工艺导入方案研究,包含国产碳化硅长晶设备和外延设备的热场仿真优化、传质过程仿真优化,关键物理场参数对晶体生长过程的影响分析,以及国产长晶设备生长工艺分析和晶体生长动力学分析的有关数据,具体包括相关生长动力过程分析所用的多物理场模型、与物理场模型对应的物理结构模型、多物理场仿真导出数据源、晶体无损检测数据、晶体表面及内部光学测试分析数据、材料形貌及照片数据、基于人工智能的图像训练数据、实验研究原始记录数据、图表等。研究数据的分类是以对应研究成果作为归集,即3篇SCI论文、6件专利展开具体分类,数据集共21.1GB。
提供机构:
厦门大学
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