SOT-MRAM存内计算原型芯片存储容量≥32 Kb芯片核心电路设计

本数据集来源于国家重点研发计划“新型自旋轨道矩材料与高性能存内计算器件”项目（编号2021YFB3601300）的课题四，主要面向实现存算一体架构从理论到芯片实体的核心设计、验证与集成需求。数据基于项目所定义的存内计算芯片架构与规格，通过Cadence、Synopsys等标准电子设计自动化平台，在课题组构建的SOT-MRAM工艺设计套件与仿真验证环境中产生。数据集系统记录了保障芯片功能正确性与性能达标的核心设计成果，主要包括关键模块（如存算阵列外围驱动电路、灵敏放大器、逻辑控制单元、模数转换器等）的电路设计原理图、晶体管级仿真波形与报告、以及最终提交制造的物理版图等关键设计数据与验证观测值。这些数据是连接器件性能与系统功能、确保“研制SOT-MRAM存内计算芯片”得以实现的基础性工程资产，对于评估电路设计的正确性、性能边界以及保障后续流片成功具有决定性意义。数据集包含硬件描述语言代码、仿真数据文件、集成电路版图文件以及设计文档，为存算一体芯片的设计方法学与知识产权积累提供了核心载体。