6寸GaN基Micro-LED产品经键合和激光剥离制程后的良率数据

为破解Micro-LED激光剥离面临的技术难题，实现高良率产出并建成规模化、标准化生产示范线，形成本数据集。数据集生成于2025年3月至10月，地点为泉州三安半导体科技有限公司氮化镓事业部。数据集包含通过扫描电子显微镜检验6寸GaN基Micro-LED芯片经键合-激光剥离后的横截面形貌以及整晶圆芯片外观AOI良率数据，数据量351M。所有数据采集遵循国家标准执行，经过了多批次量产投片重复验证，具有代表性和可信性。该数据为我国新型显示Micro-LED芯片激光剥离量产线建立提供了重要参考。