紫外发光二极管芯片及模组光电参数

当前的LED 照明市场仍处于以蓝光LED 产品占主导的时代，但蓝光LED 的技术专利受控于欧美日等从事该行业较早的国家，而深紫外LED 是我们能够突破专利垄断的崭新领域，研究发展深紫外固态光源将是国内企业占领未来技术制高点的关键。本数据集基于石墨烯缓冲层实现非晶衬底上深紫外固态光源器件的构筑，在石墨烯晶圆衬底上制备了UVC LED芯片及模组，为氮化物薄膜与器件的制备开辟新路径。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集包含基于石墨烯缓冲层在非晶衬底上制备的深紫外（UVC）发光二极管芯片及模组的光电参数，旨在突破蓝光LED技术专利垄断并开辟氮化物薄膜器件制备新路径。数据涵盖内量子效率等关键指标，格式包括txt、VGD、pdf和X01，共23个文件，约18.91MB，由中国科学院半导体研究所依托国家重点研发计划项目产生。