调控单层TMD的激子动力学数据集

本项目通过采用界面工程，在不同的氧化物衬底（SiO2，Al2O3和HfO2）上沉积单层MoSe2，首次揭示了单层TMD中激子弛豫时间的大范围调整。单层MoSe2的带间复合缩短了近一个数量级，从（在SiO2上的）160±10 ps到（在HfO2上的）20±4 ps。我们的结果建立了界面e-ph耦合作为操纵TMD中光学激发的基本瞬态过程的有效途径，并且为优化2D光电器件提供了新的技术。

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背景与挑战

背景概述

该数据集通过界面工程在不同氧化物衬底上沉积单层MoSe2，实现了激子弛豫时间从160±10 ps到20±4 ps的大范围调控，揭示了界面电-声子耦合对操纵瞬态过程的关键作用，为优化二维光电器件提供了新途径。