在GaN上可控合成MoS2并控制其谷极化率数据集
收藏国家基础学科公共科学数据中心2024-03-05 收录
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资源简介：
本项目在GaN基底上通过控制生长温度和生长时间调控制备MoS2的成核密度和晶畴大小，通过调控MoS2和基底GaN之间的层间电-声相互作用实现室温下MoS2谷极化率的大幅提升，通过时间分辨的荧光光谱分析了MoS2样品的激子寿命和谷间散射时间，通过UPS、KPFM等实验手段解析了MoS2与GaN基底之间的能带结构，进一步分析激子散射通道，验证通过层间电-声相互作用提高MoS2谷极化率的原理。
提供机构：
北京大学
