超薄介质层TDDB统计失效模型实验数据
收藏国家基础学科公共科学数据中心2025-12-20 收录
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资源简介：
本数据集面向先进工艺芯片可靠性研究需求建设，基于 IEEE IRPS、IEDM 等权威期刊会议及出版书籍的实验数据，聚焦 55nm 与 28nm 工艺节点超薄介质层 TDDB 效应。包含击穿寿命原始数据、拟合模型文件、误差计算文件、特征寿命测试数据、文献来源及相关论文专利成果，数据量 3439MB，为 TDDB 模型的验证、优化及电路级可靠性仿真提供完整数据支撑。
提供机构：
西安电子科技大学
搜集汇总
数据集介绍
背景与挑战
背景概述
该数据集面向先进工艺芯片可靠性研究，聚焦55nm和28nm工艺节点的超薄介质层TDDB效应，包含击穿寿命原始数据、拟合模型及误差计算等文件。数据总量为3.46GB，旨在为TDDB模型的验证、优化及电路级可靠性仿真提供完整数据支撑。
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